[发明专利]QLED器件及其制备方法

摘要

一种QLED器件及其制备方法，属于QLED器件领域。QLED器件包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层，复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，复合空穴注入层具有与阳极连接的第一表面、以及远离阳极的第二表面，第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜。采用上述复合空穴注入层可避免PEDOT:PSS腐蚀阳极，保持复合空穴注入层和ITO玻璃基板界面接触的稳定性，且因复合空穴注入层与量子点发光层的能级更为适配，可增大空穴提取及注入效率，从而平衡载流子，改善器件性能，最终延长QLED器件使用寿命。