[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111133433.0 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113851593A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 杨紫琰;龙能文;管子豪 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种QLED器件，其特征在于，包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层；
其中，所述复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，所述复合空穴注入层具有与所述阳极连接的第一表面、以及远离所述阳极的第二表面，所述第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，所述第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍薄膜中，以氧化镍为基准，铷的掺杂量为8-12％mol；
可选地，铷的掺杂量为9-11％mol。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍薄膜的厚度为27-33nm。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述PEDOT:PSS薄膜的厚度为37-43nm。
5.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍薄膜以及所述PEDOT:PSS薄膜的数量均为一层。
6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括设置在所述第二表面的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在所述阳极远离所述基板的一面涂覆铷掺杂氧化镍前驱体溶液，在270-310℃退火15-25min以形成所述铷掺杂氧化镍薄膜；
S2、在所述铷掺杂氧化镍薄膜涂覆PEDOT:PSS溶液，在120-160℃退火10-20min，以形成所述PEDOT:PSS薄膜；
当所述铷掺杂氧化镍薄膜和所述PEDOT:PSS薄膜的层数分别为两层及以上时，重复步骤S1以及S2，直至完成所述复合空穴注入层的制备。
8.根据权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍前驱体溶液由以下方法制得：
将醋酸铷和四水合醋酸镍溶解于有机溶剂中，于室温下搅拌10-14h所得；
其中，所述有机溶剂包括含有二乙胺的乙二醇溶液。
9.根据权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述涂覆包括：以2000-4000rpm的转速将所述铷掺杂氧化镍薄膜旋涂于所述阳极远离所述基板的一面。
10.根据权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述涂覆包括：以4000-5000rpm转速将PEDOT:PSS溶液旋涂于铷掺杂氧化镍薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
