[发明专利]QLED器件及其制备方法

说明书

一种QLED器件及其制备方法，属于QLED器件领域。QLED器件包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层，复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，复合空穴注入层具有与阳极连接的第一表面、以及远离阳极的第二表面，第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜。采用上述复合空穴注入层可避免PEDOT:PSS腐蚀阳极，保持复合空穴注入层和ITO玻璃基板界面接触的稳定性，且因复合空穴注入层与量子点发光层的能级更为适配，可增大空穴提取及注入效率，从而平衡载流子，改善器件性能，最终延长QLED器件使用寿命。

技术领域

本申请涉及QLED器件领域，具体而言，涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

QLED是由量子点(QD)发光层、载流子传输层和电极层组成的三明治结构，其原理为电致发光，即电子和空穴从器件两侧电极注入，跨越多个界面之后到达QD发光层之后辐射复合。器件的稳定性和工作寿命仍然是QLEDs商业化应用面临的关键问题。

PEDOT:PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)是目前广泛使用的有空穴注入层材料，具有可溶液加工等突出优点，实际使用过程中发现采用PEDOT:PSS的QLED器件大多都存在空穴层和电子的注入和输送效率不同导致载流子不平衡，使用寿命短的现象。因此常用的方式为在正装结构(ITO/HIL/HTL/QD/ETL/金属阴极)的QLED的发光层和电子传输层中间插入额外的超薄聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)电子阻挡层来平衡载流子的浓度，达到载流子平衡，提高器件稳定性。

发明内容

本申请提供了一种QLED器件及其制备方法，其能够解决含有PEDOT:PSS材料的QLED器件使用寿命短的问题。

本申请的实施例是这样实现的：

在第一方面，本申请示例提供了一种QLED器件，其包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层。

其中，复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，复合空穴注入层具有与阳极连接的第一表面、以及远离阳极的第二表面，第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜。

实际使用过程中，申请人发现含有PEDOT:PSS材料的QLED器件使用寿命短的原因不仅在于其载流子不平衡，还在于PEDOT:PSS存在腐蚀电极，无法保持界面接触的稳定性，因此针对上述发现引入铷掺杂氧化镍薄膜(NiO:Rb)使其与PEDOT:PSS交替叠设形成复合空穴注入层，可避免PEDOT:PSS腐蚀阳极，保持复合空穴注入层和ITO玻璃基板界面接触的稳定性，而且因复合空穴注入层与量子点发光层的能级更为适配，可增大空穴提取及注入效率，从而平衡载流子，改善器件性能，最终延长QLED器件使用寿命。

在第二方面，本申请示例提供了一种QLED器件的制备方法，其包括以下步骤：

S1、在阳极远离基板的一面涂覆铷掺杂氧化镍前驱体溶液，在270-310℃退火15-25min以形成铷掺杂氧化镍薄膜；

S2、在铷掺杂氧化镍薄膜涂覆PEDOT:PSS溶液，在120-160℃退火10-20min，以形成PEDOT:PSS薄膜；

当铷掺杂氧化镍薄膜和PEDOT:PSS薄膜的层数分别为两层及以上时，重复步骤S1以及S2，直至完成复合空穴注入层的制备。

采用溶液法掺杂铷，使得Ni³⁺/Ni²⁺的比例更高，氧化镍的镍空位增加，减少氧化镍的缺陷，有利于增大空穴提取效率以及导电率，同时与PEDOT:PSS薄膜复合效果佳。

附图说明