[发明专利]具有栅间介质区的分离栅MOS器件及制造方法在审
| 申请号： | 202111115135.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838924A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 乔明;钟涛;方冬;张泽奇;刘文良;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有栅间介质区的分离栅MOS器件及其制造方法，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第一导电类型第二外延层、第一导电类型第三外延层、第二导电类型阱区、第二导电类型重掺杂区、第一导电类型重掺杂区、第一分离栅槽、第二分离栅槽、分离栅隔离介质层、控制栅隔离介质层、栅间介质区、分离栅、源极金属孔。本发明具有第一分离栅和第二分离栅之间的栅间介质区和含SiN层的沟槽内介质层，栅间介质区可为具有第一导电类型重掺杂的硅层、具有PN条交替的结构、High‑K材料；沟槽侧壁为引入SiN的复合介质层，在相同工艺水准下，SiN层的存在有利于保持沟槽形貌，减小后续工艺对沟槽的影响，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介质 分离 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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