[发明专利]基于半导体CMOS工艺的红外传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202111111215.7 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113555471B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;郭得福;段程鹏;王鹏;欧秦伟 | 申请（专利权）人： | 西安中科立德红外科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/09;G01J5/20;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;黄健 |
| 地址： | 710117 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种基于半导体CMOS工艺的红外传感器芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决相关技术中去除牺牲层时，易对微桥结构和梁结构造成损伤的技术问题，该制备方法包括提供基底，基底上具有第一牺牲层；形成梁结构和微桥结构；形成覆盖梁结构和微桥结构的第二牺牲层；去除第一牺牲层和第二牺牲层。本申请实施例通过形成覆盖梁结构和微桥结构的第二牺牲层，利用第二牺牲层对梁结构和微桥结构的侧面进行防护，防止在去除第一牺牲层时对梁结构和微桥结构造成损伤，提高红外传感器芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 cmos 工艺 红外传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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