[发明专利]集成金属电阻层的制造方法在审
| 申请号： | 202111097917.4 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN115841985A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 龚昌鸿;朱绍佳;于明非;陈建勋;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成金属电阻层的制造方法，包括：步骤一、选定金属电阻层的形成位置，金属电阻层的形成位置位于后段工艺中的一层镶嵌了铜连线的层间膜的表面；步骤二、在半导体衬底上完成选定层铜连线和选定层层间膜的形成工艺；步骤三、形成金属电阻层，包括分步骤：步骤31、沉积金属电阻层的材料层；步骤32、对金属电阻层的材料层进行图形化刻蚀在选定的区域中形成金属电阻层；步骤四、形成后一层铜连线和后一层铜连线底部的通孔，后一层铜连线底部的通孔采用两种不同高度。本发明能降低工艺控制难度和风险，扩大电路设计的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 金属 电阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
