[发明专利]一种基于离子栅MoS2

摘要

本发明公开了一种基于离子栅MoS2晶体管的不平衡三值逻辑门的实现方法，利用正脉冲引起的离子栅MoS2晶体管的源漏电流值差异区分不同逻辑信号组合，实现了不平衡三值逻辑门。对于单个栅门调控，向栅极施加三个不同幅度的电压，可以测量出三个不同大小的源漏电流值，然后通过与参考电流值比较，实现了标准三值反相器、正三值反相器和负三值反相器。对于栅门和漏门组合调控，向栅极和漏极分别施加三个不同幅度的电压组合，可以测量出九个不同幅度的源漏电流值，然后通过与参考电流值比较，实现了三值与门、三值与非门、三值或门、三值或非门、三值异或门和三值异或非门逻辑。本发明为建立三值逻辑电路提供了新的见解，并有助于开发三值系统结构。