[发明专利]用于掺杂区的导电通道的制造方法、沟槽型MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111078843.X | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113782429A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘坚;蔡金勇 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/768;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种用于掺杂区的导电通道的制造方法，包括：在半导体层上形成介质层，所述半导体层包括掺杂区；在所述介质层中形成开口；在所述开口的侧壁形成侧墙；经由所述开口对所述半导体层进行蚀刻，形成到达所述掺杂区的导电孔；以及在所述导电孔中填充导电材料形成导电通道，其中，所述侧墙用于减小所述导电通道的横向尺寸。本申请的用于掺杂区的导电通道的制造方法，通过在介质层中的开口的侧壁形成侧墙，缩小介质层中开口的横向尺寸，从而以更小的开口对半导体层进行蚀刻，最终获得尺寸更小的导电孔，改善器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 掺杂 导电 通道 制造 方法 沟槽 mosfet 器件 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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