[发明专利]一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111074196.5 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113782417A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张承兴 | 申请（专利权）人： | 张承兴 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B7/22;B24B41/04;B24B41/02;B24B41/06;B24B47/12;B24B47/22;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京君恒知识产权代理有限公司 11466 | 代理人： | 夏正付 |
| 地址： | 230001 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电路加工领域，更具体的说是一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，该刻蚀方法包括以下步骤：步骤一：设置硅晶片加工装置，对切割后的硅晶片进行打磨处理；步骤二：将打磨后的硅晶片进行运输，并在运输过程中进行清洁；步骤三：将清洁后的硅晶片进行运输、固定和刻蚀加工；步骤四：将刻蚀后的硅晶片进行收集。具有够调节打磨零件的打磨范围的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 晶片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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