[发明专利]MCU半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202111066008.4 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113506806B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李振文;李玉科 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MCU半导体器件的形成方法，包括：在衬底上形成栅氧化层；在闪存区的栅氧化层上形成闪存结构；形成第一多晶硅层；在逻辑区的第一多晶硅层上形成缓冲层；在缓冲层上和第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；研磨多晶硅层使得剩余的多晶硅层表面平整；去除缓冲层；部分刻蚀逻辑区的多晶硅层并停止在栅氧化层的表面，逻辑区的剩余的多晶硅层形成逻辑栅，部分刻蚀闪存区的多晶硅层并停止在栅氧化层的表面，闪存区的剩余的多晶硅层形成字线多晶硅。本发明降低了多晶硅层在闪存区和逻辑区的高度，在研磨多晶硅层时，不会由于高度差多大，而损坏闪存区的闪存结构。进一步的，多晶硅层不会存在空洞，提高了MCU半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | mcu 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111066008.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
