[发明专利]MCU半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成栅氧化层，所述衬底包括逻辑区和闪存区；

在所述闪存区的栅氧化层上形成多个间隔的闪存结构，多个所述闪存结构之间露出所述栅氧化层；

形成第一多晶硅层,所述第一多晶硅层覆盖所述闪存结构和所述闪存结构之间露出的栅氧化层；

在所述逻辑区的第一多晶硅层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上和所述第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层组成多晶硅层；

平坦化处理所述多晶硅层，平坦化处理后的所述多晶硅层暴露出所述闪存结构的顶部，并且，和所述缓冲层的上表面齐平；

去除所述缓冲层；

部分刻蚀所述逻辑区的多晶硅层并停止在所述栅氧化层的表面，以形成逻辑栅，部分刻蚀所述闪存区的多晶硅层并停止在所述栅氧化层的表面，以形成字线多晶硅。

2.如权利要求1所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述闪存结构包括：位于闪存区的栅氧化层上的浮栅，位于浮栅上的ONO层，位于ONO层上的控制栅，位于控制栅上的氧化层，覆盖浮栅、ONO层、控制栅和氧化物层的侧壁的侧墙。

3.如权利要求2所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述闪存结构的高度为2400埃~2500埃。

4.如权利要求1所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化硅。

5.如权利要求4所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的方法包括：

在所述第一多晶硅层上形成氮化硅层；

在逻辑区的氮化硅层上形成光刻胶；

以光刻胶为掩模刻蚀闪存区的氮化硅层。

6.如权利要求1所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述逻辑栅的高度为1500埃~2000埃。

7.如权利要求1所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层在逻辑区上的厚度为1500埃~2000埃。

8.如权利要求1所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二多晶硅层在逻辑区上的厚度为1100埃~1300埃。

9.如权利要求5所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为600埃~800埃。

10.如权利要求1所述的MCU半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为200埃~400埃。