[发明专利]具有PUC结构的3D NAND闪存器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111058879.1 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115802753A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张体南 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种具有PUC结构的3D NAND闪存器件及其制备方法。其中，该3D NAND闪存器件包括衬底结构，衬底结构作为PUC结构的支撑结构，设置于PUC结构下方；其中，衬底结构通过金属诱导横向结晶工艺处理形成，以提高衬底结构的迁移率，降低电子和空穴的传输影响。因此，可以实现对具有PUC结构的3D NAND闪存器件中“衬底”的性能优化，改善衬底结构的结晶晶粒尺寸，从而增大晶粒尺寸，减小晶界数量和陷阱数量，进一步提高“衬底”迁移率，降低对电子和空穴的传输的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 puc 结构 nand 闪存 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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