[发明专利]具有PUC结构的3D NAND闪存器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有PUC结构的3D NAND闪存器件，其中，包括：

衬底结构，作为所述PUC结构的支撑结构，设置于所述PUC结构下方；

其中，所述衬底结构通过金属诱导横向结晶工艺处理形成，以实现横向诱导结晶，晶界方向应多为垂直方向，提高所述衬底结构的迁移率，降低电子和空穴的传输影响。

2.根据权利要求1所述的具有PUC结构的3D NAND闪存器件，其中，所述衬底结构包括：

多晶硅层，设置于所述衬底结构的上部，与所述PUC结构的下部连接设置。

3.根据权利要求2所述的具有PUC结构的3D NAND闪存器件，其中，所述多晶硅层包括未掺杂多晶硅层、N型多晶硅层、P型多晶硅层和离子注入多晶硅层中至少之一。

4.根据权利要求2所述的具有PUC结构的3D NAND闪存器件，其中，所述衬底结构还包括：

诱导形成层，设置于所述多晶硅层下方，用于作为所述衬底结构的导电层；

间隔层，设置于所述诱导形成层下方；

电路层，设置于所述间隔层下方；

其中，所述间隔层用于间隔所述电路层和所述诱导形成层，以确保在所述金属诱导横向结晶工艺处理的过程中，诱导形成层不会对所述电路层产生影响。

5.根据权利要求4所述的具有PUC结构的3D NAND闪存器件，其中，所述诱导形成层材料为金属和/或对应的金属硅化物；所述间隔层为TEOS层；电路层为CMOS层。

6.一种权利要求1-5中任一项所述的具有PUC结构的3D NAND闪存器件的制备方法，其中，包括：

形成衬底结构；

在所述衬底结构上形成PUC结构，以构成所述3D NAND闪存器件；

其中，在所述形成衬底结构中，包括：通过金属诱导横向结晶工艺处理形成所述衬底结构，以实现横向诱导结晶，晶界方向应多为垂直方向，提高所述衬底结构的迁移率，降低电子和空穴的传输影响。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，在所述通过金属诱导横向结晶工艺处理形成所述衬底结构中，包括：

形成初始衬底结构；

对所述初始衬底结构进行金属诱导横向结晶工艺处理，形成所述衬底结构；

其中，所述初始衬底结构包括自下而上依次设置的初始电路层、初始间隔层、非晶硅层和诱导层，分别用于形成所述衬底结构的电路层、间隔层、多晶硅层和诱导形成层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，在所述形成初始衬底结构中，包括：

在初始电路层上形成初始间隔层；

在所述初始间隔层上形成所述非晶硅层；

在所述非晶硅层上形成所述诱导层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其中，在所述对所述初始衬底结构进行金属诱导横向结晶工艺处理，形成所述衬底结构中，包括：

以300℃-800℃的退火温度，在氮气或氢气的气体氛围中对所述初始衬底结构执行热退火工艺，以形成所述衬底结构。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，在所述对所述初始衬底结构进行金属诱导横向结晶工艺处理，形成所述衬底结构之前，还包括：

对所述非晶硅层进行原位掺杂工艺处理，形成N型非晶硅层或P型非晶硅层；或者

对所述非晶硅层进行离子注入工艺处理，形成离子非晶硅层。