[发明专利]一种具有特殊沟槽的高强度键合结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111052780.0 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113506784A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 吴焱;刘鹏飞;史芝纲;王雷;郁元卫;朱健 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 刘莎 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有特殊沟槽的高强度键合结构及其制备方法，通过采用干法刻蚀技术在硅基衬底上制作沟槽型键合结构；随后在沟槽结构上沉积粘附层金属及键合层金属，并与另一片硅基衬底上的键合层金属进行晶圆级键合，从而形成晶圆与晶圆间的高强度粘接。本发明避免了因键合强度不高导致的芯片堆叠过程中产生的失效风险，该方法可为三维集成微系统提供晶圆级堆叠解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 特殊 沟槽 强度 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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