[发明专利]防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片在审

专利信息
申请号: 202111052314.2 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113763801A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 史丽娜;尚潇;李龙杰;陈生琼;谢常青;李泠 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G09F3/02 分类号: G09F3/02;H01L23/544;H01L21/67
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 马苗苗
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请实施例公开了一种防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片,其中防伪结构包括:基底层;多个凸起结构,形成于所述基底层上,其中,用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。当入射光照射在防伪结构上时,入射光会与多个凸起结构产生米氏共振现象,使得防伪结构的凸起结构上不同角度反射的光线不同,进而使得经由不同的角度看向防伪结构时会呈现不同的颜色,基于此即可实现防伪作用,本申请实施例提供的防伪结构基于结构色进行显色,无需依赖于颜料,分辨率高,使得防伪结构难以被仿制,且本申请实施例提供的防伪结构无需依赖于化学染料,能够降低对环境的污染。
搜索关键词: 防伪 结构 制备 方法 芯片
【主权项】:
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