[发明专利]防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片

说明书

本申请实施例公开了一种防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片，其中防伪结构包括：基底层；多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。当入射光照射在防伪结构上时，入射光会与多个凸起结构产生米氏共振现象，使得防伪结构的凸起结构上不同角度反射的光线不同，进而使得经由不同的角度看向防伪结构时会呈现不同的颜色，基于此即可实现防伪作用，本申请实施例提供的防伪结构基于结构色进行显色，无需依赖于颜料，分辨率高，使得防伪结构难以被仿制，且本申请实施例提供的防伪结构无需依赖于化学染料，能够降低对环境的污染。

技术领域

本申请实施例涉及显色技术领域，尤其涉及一种防伪结构、一种防伪结构的制备方法和一种芯片。

背景技术

防伪结构广泛地应用在很多商品上，其用于甄别产品是否属于假冒和仿冒。目前技术中大多是通过在产品上涂布颜料，通过颜料不同的色彩来进行防伪，但是传统颜料的分辨率低，导致目前的防伪结构容易被仿制，防伪性能差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的第一方面提供了一种防伪结构。

本发明的第二方面提供了一种防伪结构的制备方法。

本发明的第三方面提供了另一种防伪结构的制备方法。

本发明的第四方面提供了一种芯片。

有鉴于此，根据本申请实施例的第一方面提出了一种防伪结构，包括：

基底层；

多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。

在一种可行的实施方式中，所述基底层的材料和用于制备所述凸起结构的材料相同。

在一种可行的实施方式中，制备所述凸起结构的材料包括硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。

在一种可行的实施方式中，所述凸起结构沿高度方向的截面为椭圆形；所述凸起结构的高度为140纳米至240纳米。

在一种可行的实施方式中，所述椭圆形的短轴直径为80纳米至240纳米；所述椭圆形的长轴直径为80纳米至240纳米，所述长轴直径的取值大于所述短轴直径的取值。

在一种可行的实施方式中，多个所述凸起结构在所述基底层上呈矩形阵列排布；其中，矩形阵列排布的X轴排布周期与Y轴排布周期相同，所述X轴排布周期和所述Y轴排布周期的取值为290纳米至310纳米。

在一种可行的实施方式中，防伪结构还包括：

金属层，覆盖在所述凸起结构背离于所述基底的一侧；

所述金属层的厚度为25纳米至35纳米。

在一种可行的实施方式中，制备所述金属层的材料包括金、银、铝和铬中的至少一种。

根据本申请实施例的第二方面提出了一种防伪结构的制备方法，用于制备上述任一技术方案所述的防伪结构，所述制备方法包括：

提供基底，用于制备所述基底的材料的折射率大于1.4；

对所述基底进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构。

在一种可行的实施方式中，所述对所述基底进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构的步骤包括：

在所述基底上设置金属掩膜层；

通过电子束光刻工艺刻蚀所述基底，以在所述基底上形成多个凸起结构。