[发明专利]电压基准芯片的封装结构及输出电压温度补偿方法在审

专利信息
申请号: 202111051799.3 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113760033A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 程章格;姚福林;王其超;晏开华;康丙寅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567;H01L23/544;H02M1/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李铁
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供了一种电压基准芯片的封装结构及输出电压温度补偿方法,所述封装结构内部设有电压基准芯片和二极管芯片,二极管芯片靠近电压基准芯片设置,以通过检测二极管芯片的结温间接获取电压基准芯片的结温;本发明利用二极管芯片的正向导通压降随温度变化的特性,并基于二极管芯片靠近电压基准芯片设置的结构设计,通过外部算法间接获取电压基准芯片的结温,而后对电压基准芯片的输出电压进行温度补偿,能有效抵消温度对电压基准芯片输出电压所带来的影响,实现电压基准芯片温漂的最小化,且该方案仅需要增加二极管芯片结构和少量采集计算,成本较低、适用范围很广、性价比高。
搜索关键词: 电压 基准 芯片 封装 结构 输出 温度 补偿 方法
【主权项】:
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