[发明专利]电压基准芯片的封装结构及输出电压温度补偿方法

说明书

本发明提供了一种电压基准芯片的封装结构及输出电压温度补偿方法，所述封装结构内部设有电压基准芯片和二极管芯片，二极管芯片靠近电压基准芯片设置，以通过检测二极管芯片的结温间接获取电压基准芯片的结温；本发明利用二极管芯片的正向导通压降随温度变化的特性，并基于二极管芯片靠近电压基准芯片设置的结构设计，通过外部算法间接获取电压基准芯片的结温，而后对电压基准芯片的输出电压进行温度补偿，能有效抵消温度对电压基准芯片输出电压所带来的影响，实现电压基准芯片温漂的最小化，且该方案仅需要增加二极管芯片结构和少量采集计算，成本较低、适用范围很广、性价比高。

技术领域

本发明涉及基准芯片技术领域，特别涉及是一种电压基准芯片的封装结构及输出电压温度补偿方法。

背景技术

电压基准芯片是电源系统的重要组成部分，通常作为A/D、D/A的基准输入使用，电压基准芯片输出电压的精度直接影响A/D、D/A的精度，从而直接影响整机系统的精度，对于高精度测量领域，提升电压基准芯片的温度稳定性是至关重要的。

但是，电压基准芯片的输出电压通常受温度的影响较大，输出电压温漂参数通常在10ppm/℃及以上，一般通过内部温度补偿电路、修调等方式降低温漂，从而提升输出电压稳定性，但该种方式只能在一定程度内降低温漂，存在技术瓶颈。为进一步消除温度对电压基准芯片输出电压的影响，可以通过温度传感单元采集芯片内部温度从而进行温度补偿，通常可以增加温度传感器进行采集，但该种方案通常存在成本高等缺点。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种电压基准芯片的输出电压温度补偿技术方案，用于解决上述技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明采取的技术方案如下。

一种电压基准芯片的封装结构，所述封装结构内部设有所述电压基准芯片及二极管芯片，所述二极管芯片靠近所述电压基准芯片设置，以通过检测所述二极管芯片的结温间接获取所述电压基准芯片的结温。

可选地，所述封装结构内部设有下层封装层和上层封装层，所述下层封装层中设有所述电压基准芯片，所述上层封装层中设有所述二极管芯片，且所述电压基准芯片的引脚通过第一金属互联结构从所述封装结构内电引出，所述二极管芯片的引脚通过第二金属互联结构从所述封装结构内电引出。

可选地，所述二极管芯片与所述电压基准芯片之间设有导热的塑封绝缘材料。

可选地，所述上层封装层中还设有去耦电容及噪声去除电容，所述去耦电容的一端与所述电压基准芯片的电源引脚连接，所述去耦电容的另一端与所述封装结构的接地线连接，所述噪声去除电容的一端与所述电压基准芯片的基准电压引脚连接，所述噪声去除电容的另一端与所述电压基准芯片的电容引脚连接。

可选地，所述封装结构靠近所述下层封装层的外表面上设有焊盘，部分所述焊盘与所述第一金属互联结构连接，将所述电压基准芯片的引脚电引出；部分所述焊盘与所述第二金属互联结构连接，将所述二极管芯片的引脚电引出。

一种电压基准芯片的输出电压温度补偿方法，包括步骤：

靠近所述电压基准芯片设置二极管芯片，使所述二极管芯片的结温等于所述电压基准芯片的结温；

获取所述二极管芯片的结温；

根据所述二极管芯片的结温对所述电压基准芯片的输出电压进行温度补偿。

可选地，所述获取所述二极管芯片的结温的步骤包括：

获取所述二极管芯片的正向导通压降与温度的函数关系，记为第一函数关系；

采集所述二极管芯片的正向导通压降；

根据所述第一函数关系与所述二极管芯片的正向导通压降，得到所述二极管芯片的结温。