[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202111048524.4 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113770360B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;杨慧珍 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/14 | 分类号： | B22F3/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)筛分纯度≥99.98％的铬硅合金原料，得到铬硅合金粉末；(2)将步骤(1)所得铬硅合金粉末进行真空热压烧结处理，得到铬硅合金靶坯；(3)将步骤(2)所得铬硅合金靶坯进行机加工，得到铬硅合金溅射靶材；其中，步骤(2)所述真空热压烧结处理包括顺次进行的第一保温处理、第二保温处理与保温保压处理，且所述保温保压处理的加压过程分为至少2个加压阶段。本发明提供的制备方法保证了靶材的高密度，改善了微观结构均匀性和溅射性能，同时简化了工艺流程，提升了生产效率，降低了生产成本，拓宽了适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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