[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)筛分纯度≥99.98％的铬硅合金原料，得到铬硅合金粉末；

(2)将步骤(1)所得铬硅合金粉末进行烧结温度为1000-1300℃，压制压力为30-40MPa的真空热压烧结处理，得到铬硅合金靶坯；

(3)将步骤(2)所得铬硅合金靶坯进行机加工，得到铬硅合金溅射靶材；

其中，步骤(2)所述真空热压烧结处理包括顺次进行的第一升温、第一保温处理、第二升温、第二保温处理、加压与保温保压处理，且所述保温保压处理的加压过程分为2个加压阶段，即依次进行的第一加压阶段和第二加压阶段；

所述第一加压阶段的加压速率为0.3-0.5MPa/min，目标压力为20-30MPa；所述第二加压阶段的加压速率为0.2-0.3MPa/min，目标压力为35-40MPa。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬硅合金原料中硅元素的质量比为50％-55％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬硅合金粉末的平均粒度≤200μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空热压烧结处理包括依次进行的装模、压实、抽真空、第一升温、第一保温处理、第二升温、第二保温处理、加压、保温保压处理、撤压与冷却。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述装模具体为：将铬硅合金粉末装入石墨模具中，保证装模后平面度≤0.5mm。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述压实具体为：将石墨模具放入真空烧结炉中，顶上压头施加压力0.8-1.2MPa。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述压力的施加时间为4-6min。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空至炉内绝对压力≤100Pa。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一升温的升温速率为6-8℃/min。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一升温的目标温度为1000-1200℃。

11.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一保温处理的时间为40-80min。

12.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二升温的升温速率为2-4℃/min。

13.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二升温的目标温度为1250-1300℃。

14.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二保温处理的时间为60-100min。

15.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述保温保压处理的时间为100-150min。

16.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述撤压具体为：向真空烧结炉中充入氮气和/或氩气至炉内绝对压力为0.02-0.04MPa。

17.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述冷却具体为：待模具随炉冷却至温度≤200℃，取出模具并晾至室温。

18.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述机加工包括依次进行的磨平、切割、精加工、表面处理、清洗、干燥与包装。