[发明专利]一种基于相变材料Ge2在审

专利信息
申请号: 202111045986.0 申请日: 2021-09-07
公开(公告)号: CN113687551A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 刘志海;孙家鹏;张渝豪;李寒阳 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: G02F1/21 分类号: G02F1/21;G02F1/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供了一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关,括宽带光源、单模光纤、“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、793nm连续激光器、532nm脉冲激光器、光谱分析仪;所述宽带光源通过单模光纤与第一“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、第二“花生型”光纤微结构和光谱分析仪依次相连。本发明提出利用光纤烧球熔接、磁控溅射镀膜以及光纤打孔技术进行非易失性光开关的制作,形成干涉臂中间打孔镀GST的“花生型”马赫曾德尔干涉结构,制作简单成本低,在可重构光子器件及非易失性光开关领域应用前景广阔。
搜索关键词: 一种 基于 相变 材料 ge base sub
【主权项】:
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