[发明专利]一种提升LDO抗干扰能力的芯片版图结构有效
| 申请号： | 202111041439.5 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN114496979B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 袁少华;王铭义;马洋 | 申请（专利权）人： | 上海芯圣电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京前审知识产权代理有限公司 11760 | 代理人： | 张静;李亮谊 |
| 地址： | 201600 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种芯片版图结构，其特征在于：所述芯片版图结构包括至少1个金属层，其中，每个金属层上设计出电感，芯片的VDD通过所述金属层连接到芯片中LDO的电源输入端。本发明的芯片版图结构利用金属层形成的电感改善LDO的抗电源干扰的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 ldo 抗干扰 能力 芯片 版图 结构 | ||
【主权项】：
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