[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111034239.7 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN115763357A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 贝帮坤;金兴成;杨晓芳;马凤麟;李玉岱 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制备方法，通过于相邻两个器件区之间的衬底上表面开设第一沟槽，于相邻两个器件区之间的衬底中形成第一阱区且第一阱区位于第一沟槽下方，于第一沟槽中形成第一槽隔离结构，于器件区中形成器件，实现半导体器件的制备。其中，第一阱区借助第一沟槽作为注入通道，有效地加深了注入深度，提高了器件间的隔离效果，同时可以使相邻器件区的扩散距离缩短，耗尽区减小，进一步缩减了器件面积，提高芯片集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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