[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括多个器件区，所述衬底具有第一导电类型；

于相邻两个所述器件区之间的所述衬底上表面开设第一沟槽；

于相邻两个所述器件区之间的所述衬底中形成第一阱区，所述第一阱区位于所述第一沟槽下方，所述第一阱区具有第一导电类型；

于所述第一沟槽中形成第一槽隔离结构；

于所述器件区中形成器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于相邻两个所述器件区之间的所述衬底中形成第一阱区，包括：

对相邻两个所述器件区之间的所述衬底进行第一导电类型的离子注入以形成所述第一阱区，其中，至少部分所述离子通过所述第一沟槽注入至所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽与相邻的所述器件区的边缘相切，或所述第一沟槽部分开设于相邻的所述器件区上。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，相邻两个器件区之间的所述第一沟槽的数量为至少两个，靠近所述器件区的所述第一沟槽与所述器件区的边缘相切，或靠近所述器件区的所述第一沟槽部分开设于所述器件区上。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度为4000A～6000A。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述器件区中形成半导体器件，包括：

于所述器件区中形成第二阱区，所述第二阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

于所述第二阱区的上表层形成第三阱区，所述第三阱区具有第一导电类型。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一阱区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度，所述第一阱区的掺杂浓度小于所述第三阱区的掺杂浓度。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

于所述衬底的上表面开设第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第二阱区和所述第三阱区之间；

于所述第二沟槽中形成第二槽隔离结构。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述于所述器件区中形成半导体器件，还包括：

于相邻两个所述第二阱区之间的所述衬底的上表层形成第四阱区，所述第四阱区具有第一导电类型。

10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

对所述第一槽隔离结构及所述第一阱区进行退火处理。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为900℃～1200℃，退火时间为80min～150min。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括多个器件区，所述衬底具有第一导电类型；

第一槽隔离结构，位于相邻两个所述器件区之间的所述衬底上表面；

第一阱区，位于相邻两个所述器件区之间的所述衬底中，所述第一阱区位于所述第一槽隔离结构下方，所述第一阱区具有第一导电类型；

器件，位于所述器件区中；

其中，在垂直所述衬底上表面的方向上，所述器件的深度小于所述第一阱区的深度。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述器件包括：

第二阱区，位于所述器件区中，所述第二阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

第三阱区，位于所述第二阱区的上表层，所述第三阱区具有第一导电类型；

其中，在垂直所述衬底上表面的方向上，所述第二阱区的深度小于所述第一阱区的深度。