[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本申请涉及半导体器件及其制备方法，通过于相邻两个器件区之间的衬底上表面开设第一沟槽，于相邻两个器件区之间的衬底中形成第一阱区且第一阱区位于第一沟槽下方，于第一沟槽中形成第一槽隔离结构，于器件区中形成器件，实现半导体器件的制备。其中，第一阱区借助第一沟槽作为注入通道，有效地加深了注入深度，提高了器件间的隔离效果，同时可以使相邻器件区的扩散距离缩短，耗尽区减小，进一步缩减了器件面积，提高芯片集成度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及半导体器件及其制备方法。

背景技术

在电子器件中，深阱隔离具有减小器件的漏电流、提高器件的击穿电压及减少相邻器件间距等优点。然而，由于机台端注入能力存在极限，在部分电子器件中深阱注入的深度有限，使得深阱隔离效果降低，器件占用面积增大，芯片集成度降低。

发明内容

基于此，有必要提供一种半导体器件及其制备方法，以增大深阱注入的深度，提高深阱隔离的效果，提高器件的集成度。

为了实现本申请的目的，本申请采用如下技术方案：

一种半导体器件的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括多个器件区，所述衬底具有第一导电类型；

于相邻两个所述器件区之间的所述衬底上表面开设第一沟槽；

于相邻两个所述器件区之间的所述衬底中形成第一阱区，所述第一阱区位于所述第一沟槽下方，所述第一阱区具有第一导电类型；

于所述第一沟槽中形成第一槽隔离结构；

于所述器件区中形成器件。

在其中一种实施例中，所述于相邻两个所述器件区之间的所述衬底中形成第一阱区，包括：

对相邻两个所述器件区之间的所述衬底进行第一导电类型的离子注入以形成所述第一阱区，其中，至少部分所述离子通过所述第一沟槽注入至所述衬底中。

在其中一种实施例中，所述第一沟槽与相邻的所述器件区的边缘相切，或所述第一沟槽部分开设于相邻的所述器件区上。

在其中一种实施例中，相邻两个器件区之间的所述第一沟槽的数量为至少两个，靠近所述器件区的所述第一沟槽与所述器件区的边缘相切，或靠近所述器件区的所述第一沟槽部分开设于所述器件区上。

在其中一种实施例中，所述第一沟槽的深度为4000A～6000A。

在其中一种实施例中，所述于所述器件区中形成半导体器件，包括：

于所述器件区中形成第二阱区，所述第二阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

于所述第二阱区的上表层形成第三阱区，所述第三阱区具有第一导电类型。

在其中一种实施例中，所述第一阱区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度，所述第一阱区的掺杂浓度小于所述第三阱区的掺杂浓度。

在其中一种实施例中，所述制备方法还包括：

于所述衬底的上表面开设第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第二阱区和所述第三阱区之间；

于所述第二沟槽中形成第二槽隔离结构。

在其中一种实施例中，所述于所述器件区中形成半导体器件，还包括：

于相邻两个所述第二阱区之间的所述衬底的上表层形成第四阱区，所述第四阱区具有第一导电类型。

在其中一种实施例中，所述制备方法还包括：

对所述第一槽隔离结构及所述第一阱区进行退火处理。