[发明专利]使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少在审
| 申请号： | 202111030957.7 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN114250117A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 布兰登·克罗克特;吉米·格兰斯特伦姆 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C11D1/06 | 分类号： | C11D1/06;C11D3/12;C11D3/30;C11D3/34;C11D3/36;C11D3/39;C11D3/60;H01L21/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少。本技术总体上涉及用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物，和其上具有二氧化铈(CeO |
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| 搜索关键词： | 使用 包含 氧化剂 清洁剂 cmp 缺陷 有效 减少 | ||
【主权项】：
暂无信息
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