[发明专利]使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少

说明书

本发明涉及使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少。本技术总体上涉及用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物，和其上具有二氧化铈(CeO₂)颗粒的半导体表面的清洁方法。

技术领域

本技术总体上涉及用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物，和其上具有二氧化铈(CeO₂)颗粒的半导体表面的清洁方法。

背景技术

半导体器件节点的制造需要浅沟槽隔离(STI)工艺。STI化学机械抛光(CMP)工艺需要高SiO₂去除率、高SiO₂:Si₃N₄选择性、和低表面缺陷的组合。通常，CMP中采用的CeO₂颗粒得到高SiO₂去除率和高SiO₂:Si₃N₄选择性的最佳组合。然而，CeO₂ CMP倾向于产生具有高缺陷数的主要由残留CeO₂颗粒组成的晶圆(wafer)。CeO₂抛光晶圆的CMP后清洁由此存在一个主要技术问题。需要用于CeO₂的有效、且低成本的CMP后清洁化学品，以能够实现STI技术。

用于CeO₂ CMP后的基于商品的清洁方法通常利用苛刻的化学条件，例如SCI(5份H₂O、1份NH₄OH、1份H₂O₂)、稀氢氟酸(DHF)、或SPM(1份H₂SO₄、4份H₂O₂)。这些方法在减少CMP后CeO₂缺陷方面是有效的，但是并非没有明显的缺点：SCI在晶圆表面上留下大量废渣，DHF会导致不可接受的高材料损失，并且SPM负担与较长的处理时间和附加的基础设施支出相关的成本无效。

正是在该背景下，需要开发本文所述的实施方案。

发明内容

本文提供用于清洁CMP后半导体表面和其上具有CeO₂颗粒的半导体表面的组合物和方法。