[发明专利]使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少

权利要求书

1.一种用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物，其包括：

氧化剂组合物，其中所述氧化剂组合物的标准还原电位(E°)2.0V；和

碱性胺化合物和表面活性剂中的至少之一。

2.根据权利要求1所述的液体组合物，其进一步包括酸。

3.根据权利要求2所述的液体组合物，其中所述酸选自膦酸和双膦酸。

4.根据权利要求3所述的液体组合物，其中所述酸选自1-羟基乙叉-1,1-二膦酸、NTMP(次氮基三(亚甲基膦酸))、PBTC(膦酸丁烷三羧酸)、EDTMP(乙二胺四(亚甲基膦酸))、焦磷酸、氨基亚乙基膦酸、亚甲膦酸、和(2-羧基乙叉)双膦酸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的液体组合物，其包括表面活性剂和碱。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的液体组合物，其中所述表面活性剂为羧酸表面活性剂。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的液体组合物，其中所述表面活性剂选自辛醇聚醚-9羧酸或本领域已知的适合用作表面活性剂的其它聚氧乙烯烷基醚羧酸。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的液体组合物，其中所述碱性胺化合物为烷基化胺。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的液体组合物，其中所述碱性胺化合物选自3-氨基-4-辛醇，2-(二乙氨基)乙硫醇，卡普他明，二乙基乙醇胺，甲基半胱胺，2-(叔丁氨基)乙硫醇，2,2′-二甲氧基-1,1-二甲基-二甲胺，3-丁氧基丙胺，N-乙酰基半胱胺，高半胱胺，N,N-二甲基羟胺，2-(异丙基氨基)乙醇，2-(甲硫基乙基)胺，1-氨基丙烷-2-硫醇，亮氨酸，半胱胺，选自由N,O-二甲基羟胺、氨基甲基丙醇、氨基甲基丙二醇、氨基乙基丙二醇、2-氨基-2-(羟基甲基)丙烷-1,2-二醇、2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇、二甲基2-氨基-2-甲基-1,3-丙二醇、二甲基2-氨基-2-乙基-1,3-丙二醇、三(羟基甲基)(二甲基氨基)甲烷、和2-氨基-1-丁醇组成的组中的至少一种。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的液体组合物，其中所述氧化剂组合物的标准还原电位(E°)2.5V。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的液体组合物，其中所述氧化剂组合物包括至少两种不同的氧化性化合物。

12.根据权利要求11所述的液体组合物，其中所述至少两种不同的氧化性化合物包括过硫酸盐和过氧化氢。

13.根据权利要求12所述的液体组合物，其中所述过硫酸盐选自过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾、过硫酸钙、和过硫酸镁。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的液体组合物，其中所述组合物的pH为2至6。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的液体组合物，其中所述氧化剂组合物小于所述用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物的5重量％。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的液体组合物，其中用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物的水含量占至少95重量％。

17.一种半导体表面的清洁方法，所述半导体表面上具有CeO₂颗粒，所述方法包括施加根据权利要求1至16中任一项所述的液体组合物。