[发明专利]温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序在审
| 申请号： | 202111027548.1 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114141658A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 片冈勇树;长畑寿 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;G05D23/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。温度推定装置具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据，其中，该生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 推定 装置 等离子体 处理 系统 方法 以及 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111027548.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率半导体器件及其制造方法
- 下一篇：学习装置及模型学习系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
