[发明专利]温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序在审
| 申请号: | 202111027548.1 | 申请日: | 2021-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN114141658A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 片冈勇树;长畑寿 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;G05D23/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王海奇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度 推定 装置 等离子体 处理 系统 方法 以及 程序 | ||
1.一种温度推定装置,
具有推定部,上述推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据,其中,上述生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。
2.根据权利要求1所述的温度推定装置,其中,
与上述处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据是在多个传感器的每个传感器中新测定出的多个时间序列的工艺数据。
3.根据权利要求2所述的温度推定装置,其中,
上述多个传感器包括以下传感器中的至少任意一个传感器,即、测定上述处理空间内的压力的传感器、测定供给至上述处理空间内的气体的气体流量的传感器、测定等离子体处理用的RF电源的功率量的传感器、用于测定腔室阻抗的传感器、以及测定对上述处理空间内进行加热的加热器的功率量的传感器。
4.根据权利要求2所述的温度推定装置,其中,
与上述处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据是在开始等离子体处理前或者正在进行等离子体处理时新测定出的多个时间序列的工艺数据。
5.根据权利要求2所述的温度推定装置,其中,
上述生成完毕时间序列模型通过使用上述生成完毕时间序列模型的参数来对上述新的时间序列的工艺数据中的与当前工艺数据相比过去的规定的时间范围的工艺数据、和与推定对象的温度数据相比过去推定出的规定的时间范围的温度数据进行加权相加,从而输出推定对象的温度数据。
6.根据权利要求1所述的温度推定装置,其中,
上述温度推定装置还具有模型生成部,上述模型生成部基于通过依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据而从时间序列模型依次输出的温度数据与在上述处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据的误差,来决定时间序列模型的参数,从而提供上述生成完毕时间序列模型。
7.根据权利要求6所述的温度推定装置,其中,
上述模型生成部通过基于与在上述处理空间内的预先决定的位置测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据的误差来决定上述时间序列模型的参数,从而提供与测定出的位置对应的生成完毕时间序列模型。
8.一种等离子体处理系统,具有:
根据权利要求1~7中任意一项所述的温度推定装置;以及
警报输出装置,在由上述推定部依次推定的温度数据超出预先决定的温度范围的情况下输出警报。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理系统,其中,
上述等离子体处理系统还具有控制装置,上述控制装置设定等离子体处理的处理时间,以使得在开始等离子体处理前或者在等离子体处理中由上述推定部依次推定的温度数据达到目标温度。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理系统,其中,
上述等离子体处理系统还具有控制装置,上述控制装置设定RF电源的功率量,以使得在开始上述等离子体处理前或者在等离子体处理中由上述推定部依次推定的温度数据达到目标温度。
11.一种温度推定方法,
具有:通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据的工序,其中,上述生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。
12.一种温度推定程序,
用于使计算机执行:通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据的工序,其中,上述生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





