[发明专利]温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序在审

申请号：	202111027548.1	申请日：	2021-09-02
公开（公告）号：	CN114141658A	公开（公告）日：	2022-03-04
发明（设计）人：	片冈勇树;长畑寿	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/3065;G05D23/20
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	金雪梅;王海奇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	温度推定装置等离子体处理系统方法以及程序
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【说明书】：

本发明提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。温度推定装置具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据，其中，该生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。

技术领域

本发明涉及一种温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了维持等离子体处理的晶片的质量，将处理空间内的温度调整到预先决定的范围内是重要的。另一方面，在半导体制造工艺的情况下，难以在处理空间内常设温度传感器并直接测定处理空间内的温度。因此，通过推定等间接地求出处理空间内的温度。

作为一个例子，在下述专利文献1等中提出使用等离子体处理时的工艺条件来推定处理空间内的温度的推定方法。根据该推定方法，通过在开始等离子体处理前获取工艺条件，能够推定等离子体处理中的处理空间内的温度。

然而，即使在相同的工艺条件下，在处理空间内的状态变化(已变化)的情况(例如等离子体处理开始时的温度上升/下降的情况，或者在等离子体处理中处理空间内的配件的温度上升的情况)下，温度的推定精度降低。

专利文献1：日本特开2019－212852号公报

发明内容

本公开提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。

根据本公开的一个方式的温度推定装置例如具有以下这样的结构。即、具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据，其中，该生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。

根据本公开，能够提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。

附图说明

图1是表示模型生成阶段的应用温度推定装置的等离子体处理系统的系统结构的一个例子的图。

图2是表示推定阶段的应用温度推定装置的等离子体处理系统的系统结构的一个例子的图。

图3是表示温度推定装置的硬件结构的一个例子的图。

图4是表示模型生成用数据(模型生成用的工艺数据组以及模型生成用的温度数据)的一个例子的图。

图5是表示工艺数据以及温度数据的实测值的一个例子的图。

图6是表示模型生成处理的流程的流程图。

图7是表示推定部的功能构成以及处理的具体例子的图。

图8是表示判定部的功能构成以及处理的具体例子的图。

图9是表示控制部的功能构成以及处理的具体例子的图。

图10是表示推定处理的流程的流程图。