[发明专利]一种凹型电荷俘获层突触晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111026328.7 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113871487A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 黎明;李小康;李海霞;陈珙;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹型电荷俘获层突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用的凹型电荷俘获层结构便于通过首次编程将电荷隧穿到俘获层，而后通过若编程的方式改变电荷俘获位置的方式来降低操作电压；另一方面，通过在栅源或者栅漏之间的电压脉冲控制电荷在俘获层中的横向位置实现多值存储，从而提高神经网络的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 俘获 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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