[发明专利]加热结构和半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202111019882.2 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113727478A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 赵晋荣;王松;韦刚;陈星;许金基;张郢 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/54 | 分类号： | H05B3/54;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体工艺设备的加热结构，加热结构设置于介质窗和射频线圈之间，加热结构包括加热层，加热层设置于介质窗上；加热层包括加热丝，加热丝围绕介质窗中心呈辐射状盘绕，加热丝包括多个沿介质窗的径向延伸的辐条段，且每条辐条段的两端分别与两侧相邻两条辐条段中的一条的临近端连接。在本发明中，加热丝径向绕制形成的加热层设置在介质窗与射频线圈之间，从而在避免产生涡旋电流的同时，实现对介质窗的表面进行均匀加热，提高了工艺腔室中温度场的均匀性；并且，加热层还能减小上电极电感耦合放电中寄生的容性耦合电场，提高工艺腔室中电场的均匀性；此外，还为上电极提供了更大的散热空间。本发明还提供一种半导体工艺设备。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 结构 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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