[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置在审

专利信息
申请号: 202111017666.4 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN115050650A 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 志摩真也 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/66;H01L23/498
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 董婷婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据一个实施方式,提供了一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括:检查基板上的多个芯片区域的每一个,将检查后的芯片区域判定为合格芯片区域或不合格芯片区域的步骤。基板的多个芯片区域在平面方向上排列。多个芯片区域被构成为一个系统。半导体装置的制造方法包括:形成再布线层的步骤,所述再布线层包含与多个芯片区域中的合格芯片区域的电极连接而不与不合格芯片区域的电极连接的线。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 系统 以及
【主权项】:
暂无信息
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