[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置在审
申请号: | 202111017666.4 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN115050650A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 志摩真也 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/66;H01L23/498 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 董婷婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 系统 以及 | ||
根据一个实施方式,提供了一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括:检查基板上的多个芯片区域的每一个,将检查后的芯片区域判定为合格芯片区域或不合格芯片区域的步骤。基板的多个芯片区域在平面方向上排列。多个芯片区域被构成为一个系统。半导体装置的制造方法包括:形成再布线层的步骤,所述再布线层包含与多个芯片区域中的合格芯片区域的电极连接而不与不合格芯片区域的电极连接的线。
本申请享有2021年3月9日申请的第2021-037778号日本发明专利申请的优先权之利益,该日本发明专利申请的全部内容通过引用并入本申请。
技术领域
本实施方式涉及半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置。
背景技术
在半导体装置的制造方法中,在基板上形成多个芯片区域,制造半导体装置。此时,希望提高半导体装置的制造成品率。
发明内容
一个实施方式提供能够容易地提高半导体装置的制造成品率的半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置。
根据本实施方式,提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括:检查基板上的多个芯片区域的每一个,将检查后的芯片区域判定为合格芯片区域或不合格芯片区域的步骤。基板的多个芯片区域在平面方向上排列。多个芯片区域被构成为一个系统。半导体装置的制造方法包括形成再布线层的步骤,所述再布线层包含与多个芯片区域中的合格芯片区域的电极连接而不与不合格芯片区域的电极连接的线。
根据上述构成,可提供能够容易地提高半导体装置的制造成品率的半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置。
附图说明
图1A~图1D是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的概要的平面图和截面图。
图2是示出应用第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的半导体制造系统的构成的图。
图3是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。
图4A~图4C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的截面图。
图5A和图5B是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的截面图。
图6A~图6C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图7A~图7C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图8A~图8C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图9A~图9C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图10A~图10C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图11是示出第一实施方式的第一变形例中的系统晶圆的平面图。
图12是示出第一实施方式的第二变形例中的系统芯片的平面图。
图13A~图13D是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图14是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。
图15A和15B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图16A和16B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图17A及图17B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图18A及图18B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
图19是示出第三实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。
图20A及图20B是示出第三实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111017666.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蓄电池能量保护装置、方法和系统
- 下一篇:车辆摩擦片监控方法、装置和车辆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造