[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置在审

专利信息
申请号: 202111017666.4 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN115050650A 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 志摩真也 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/66;H01L23/498
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 董婷婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 系统 以及
【说明书】:

根据一个实施方式,提供了一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括:检查基板上的多个芯片区域的每一个,将检查后的芯片区域判定为合格芯片区域或不合格芯片区域的步骤。基板的多个芯片区域在平面方向上排列。多个芯片区域被构成为一个系统。半导体装置的制造方法包括:形成再布线层的步骤,所述再布线层包含与多个芯片区域中的合格芯片区域的电极连接而不与不合格芯片区域的电极连接的线。

相关申请

本申请享有2021年3月9日申请的第2021-037778号日本发明专利申请的优先权之利益,该日本发明专利申请的全部内容通过引用并入本申请。

技术领域

本实施方式涉及半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置。

背景技术

在半导体装置的制造方法中,在基板上形成多个芯片区域,制造半导体装置。此时,希望提高半导体装置的制造成品率。

发明内容

一个实施方式提供能够容易地提高半导体装置的制造成品率的半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置。

根据本实施方式,提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括:检查基板上的多个芯片区域的每一个,将检查后的芯片区域判定为合格芯片区域或不合格芯片区域的步骤。基板的多个芯片区域在平面方向上排列。多个芯片区域被构成为一个系统。半导体装置的制造方法包括形成再布线层的步骤,所述再布线层包含与多个芯片区域中的合格芯片区域的电极连接而不与不合格芯片区域的电极连接的线。

根据上述构成,可提供能够容易地提高半导体装置的制造成品率的半导体装置的制造方法、半导体制造系统以及半导体装置。

附图说明

图1A~图1D是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的概要的平面图和截面图。

图2是示出应用第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的半导体制造系统的构成的图。

图3是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图4A~图4C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的截面图。

图5A和图5B是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的截面图。

图6A~图6C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图7A~图7C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图8A~图8C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图9A~图9C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图10A~图10C是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图11是示出第一实施方式的第一变形例中的系统晶圆的平面图。

图12是示出第一实施方式的第二变形例中的系统芯片的平面图。

图13A~图13D是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图14是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图15A和15B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图16A和16B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图17A及图17B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图18A及图18B是示出第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

图19是示出第三实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图20A及图20B是示出第三实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的平面图和截面图。

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