[发明专利]一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法

摘要

本发明公开一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，该包括在工艺腔室的内壁形成介质层的步骤，其中形成介质层的步骤包括：向工艺腔室中通入第一气体和第二气体，并使第一气体和第二气体电离形成等离子体并发生化学反应，以在工艺腔室的内壁上沉积形成不含金属元素的介质层。本发明在工艺腔室的内壁形成介质层，从而起到保护晶圆的作用，使其不会被金属所污染，从而保证了金属污染测试的通过率，进而节省大量的机台闲置时间，提高机台产能，增加了晶圆上芯片元器件的可靠性，提升器件良率。