[发明专利]一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法

权利要求书

1.一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，包括在所述工艺腔室的内壁形成介质层的步骤，其中形成所述介质层的步骤包括：

向所述工艺腔室中通入第一气体和第二气体，并使所述第一气体和所述第二气体电离形成等离子体并发生化学反应，以在所述工艺腔室的内壁上沉积形成不含金属元素的介质层。

2.根据权利要求1所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，所述介质层为硅的化合物。

3.根据权利要求2所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，所述第一气体和所述第二气体分别为四氯化硅和氧气，以生成所述硅的化合物。

4.根据权利要求3所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，形成所述硅的化合物的工艺条件包括：所述工艺腔室的压力范围为10-20毫托,电源功率为1100-1300W，所述四氯化硅的流量为80-120sccm，氧气的流量为150-250sccm，氩气的流量为150-250sccm，静电卡盘的温度为50-70度，工艺维持时间15-25S。

5.根据权利要求2所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：

向所述工艺腔室中通入氧气和三氟化氮，并使所述氧气和三氟化氮形成等离子体；设定时间后，向所述工艺腔室中通入所述四氯化硅和所述氧气，并使所述四氯化硅和氧气形成等离子体，以在所述工艺腔室的内壁形成所述介质层。

6.根据权利要求1所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，在形成所述介质层之前还包括去除金属污染的步骤，所述去除金属污染的步骤包括：向所述工艺腔室内通入含氯气体，并使所述含氯气体电离形成含氯等离子体，以去除所述工艺腔室内的金属污染。

7.根据权利要求6所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，所述含氯气体包括氯气和三氯化硼，所述去除金属污染的步骤的工艺参数为：所述工艺腔室的压力为8-12mTorr，电源功率为1400-1600W，三氯化硼的流量为100-200sccm，氯气的流量为150-250sccm，氩气的流量为150-250sccm，静电卡盘的温度为50-70度，时间为1600-2000秒。

8.根据权利要求6所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，所述去除金属污染的步骤与形成介质层的步骤之间或者所述去除金属污染的步骤之前，还包括第一清理步骤，所述第一清理步骤包括：

向所述工艺腔室中通入含氟气体和含氧气体，并经电离形成含氟和含氧等离子体，以清理所述工艺腔室内的含碳聚合物和硅。

9.根据权利要求8所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，所述含氟气体包括三氟化氮，所述含氧气体包括氧气，所述第一清理步骤包括：

第一阶段：所述工艺腔室的压力为300-500mTorr，电源功率为1700-1900W，三氟化氮的流量为400-600sccm，氩气的流量为100-300sccm，静电卡盘的温度为50-70度，时间为500-700秒；

第二阶段：所述工艺腔室压力的压力为55-75mTorr，电源功率为1700-1900W，三氟化氮的流量为100-300sccm，氩气的流量为80-120sccm，静电卡盘的温度为50-70度，时间为500-700秒；

第三阶段：所述工艺腔室压力的压力为20-40mTorr，电源功率为1700-1900W，三氟化氮的流量为40-60sccm，氩气的流量为40-60sccm，静电卡盘的温度为50-70度，时间为500-700秒；

第四阶段：所述工艺腔室压力的压力为10-20mTorr，电源功率为1400-1600W，氧气的流量为300-500sccm，静电卡盘的温度为50-70度，时间为500-700秒。

10.根据权利要求8所述的降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，其特征在于，所述第一清理步骤之前且所述去除金属污染的步骤之前，所述方法还包括预处理步骤，所述预处理步骤包括：

向所述工艺腔室内循环通入和排出不与所述工艺腔室反应的普气，以对所述工艺腔室进行清理。