[发明专利]存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111006767.1 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115942754A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓光;曾定桂;李辉辉;曹堪宇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种存储器件及其制备方法。所述存储器件包括：衬底、共源线、多条栅极字线、多个柱状结构以及栅介质层。共源线设置于衬底上。多条栅极字线平行间隔设置于共源线的上方，且栅极字线沿第一方向延伸。多个柱状结构呈阵列状设置于共源线上，并贯穿栅极字线。相邻行的柱状结构沿行方向错位，相邻列的柱状结构沿列方向错位。栅介质层位于柱状结构和栅极字线之间。所述存储器件及其制备方法可以进一步提升存储器件的存储集成密度，并具备良好且稳定的存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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