[发明专利]存储器件及其制备方法

说明书

本申请涉及一种存储器件及其制备方法。所述存储器件包括：衬底、共源线、多条栅极字线、多个柱状结构以及栅介质层。共源线设置于衬底上。多条栅极字线平行间隔设置于共源线的上方，且栅极字线沿第一方向延伸。多个柱状结构呈阵列状设置于共源线上，并贯穿栅极字线。相邻行的柱状结构沿行方向错位，相邻列的柱状结构沿列方向错位。栅介质层位于柱状结构和栅极字线之间。所述存储器件及其制备方法可以进一步提升存储器件的存储集成密度，并具备良好且稳定的存储性能。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，特别是涉及一种存储器件及其制备方法。

背景技术

磁随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，简称MRAM)作为一种非易失性(Non-Volatile)存储器，不仅可以具有静态随机存取存储器(StaticRandom-Access Memory，简称SRAM)的高速读写能力，也可以具有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)的高密度集成能力。

然而，MRAM的高密度集成能力虽然有利于降低其生成成本，也可以作为MRAM相较于其他传统非闪存存储器而具备的核心竞争力之一。但是，如何进一步提升MRAM的高密度集成能力，却也成为相关技术中一个亟待解决的难题。

发明内容

本申请实施例提供了一种存储器件及其制备方法，可以进一步提升存储器件的存储集成密度，并有效减小存储模块与位线之间的接触电阻，以确保存储器件在具备高密度集成能力的同时也具备良好且稳定的存储性能。

本申请一些实施例提供了一种存储器件。存储器件包括：衬底、共源线、多条栅极字线、多个柱状结构以及栅介质层。共源线设置于衬底上。多条栅极字线平行间隔设置于共源线的上方，且栅极字线沿第一方向延伸。多个柱状结构呈阵列状设置于共源线上，并贯穿栅极字线。相邻行的柱状结构沿行方向错位，相邻列的柱状结构沿列方向错位。栅介质层位于柱状结构和栅极字线之间。

在一些实施例中，存储器件还包括多个存储模块。存储模块对应设置于柱状结构的上方，并与柱状结构连接。

在一些实施例中，存储器件还包括多条位线。多条位线平行间隔设置于存储模块的上方。位线沿第二方向延伸，并与存储模块对应连接。第二方向与第一方向相交。

在一些实施例中，存储器件还包括：多个存储节点接触结构。存储节点接触结构位于存储模块上，且至少部分覆盖存储模块。位线通过存储节点接触结构与存储模块对应连接。

在一些实施例中，存储模块包括磁隧道结。

在一些实施例中，共源线包括掺杂硅。柱状结构包括单晶硅。

在一些实施例中，任一行中相邻两个柱状结构之间的距离为第一距离。相邻列的柱状结构沿列方向错位的距离小于第一距离。

可选的，相邻列的柱状结构沿列方向错位的距离小于或等于第二距离；第二距离大于0.5倍的第一距离，且小于第一距离。

可选的，相邻行的柱状结构沿行方向错位的距离小于或等于0.5倍的第一距离。

本申请一些实施例还提供了一种存储器件的制备方法，包括步骤如下。

提供衬底，在衬底上形成共源线。

在共源线上形成呈阵列状设置的多个柱状结构，其中，相邻行的柱状结构沿行方向错位，相邻列的柱状结构沿列方向错位。

在柱状结构的侧壁上形成栅介质层。

在共源线上形成被柱状结构和栅介质层贯穿的第一介质层。

在第一介质层上形成平行间隔设置的多条栅极字线，其中，沿第一方向排列的柱状结构及其外侧的栅介质层贯穿同一条栅极字线。