[发明专利]存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

共源线，设置于所述衬底上；

多条栅极字线，平行间隔设置于所述共源线的上方；所述栅极字线沿第一方向延伸；

多个柱状结构，呈阵列状设置于所述共源线上，并贯穿所述栅极字线；相邻行的所述柱状结构沿行方向错位，相邻列的所述柱状结构沿列方向错位；

以及，栅介质层，位于所述柱状结构和所述栅极字线之间。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：多个存储模块；所述存储模块对应设置于所述柱状结构的上方，并与所述柱状结构连接。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：

多条位线，平行间隔设置于所述存储模块的上方；所述位线沿第二方向延伸，并与所述存储模块对应连接；所述第二方向与所述第一方向相交。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：多个存储节点接触结构；所述存储节点接触结构位于所述存储模块上，且至少部分覆盖所述存储模块；

所述位线通过所述存储节点接触结构与所述存储模块对应连接。

5.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述存储模块包括磁隧道结。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，

所述共源线包括掺杂硅；

所述柱状结构包括单晶硅。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的存储器件，其特征在于，

任一行中相邻两个所述柱状结构之间的距离为第一距离；

相邻列的所述柱状结构沿列方向错位的距离小于所述第一距离。

8.根据权利要求7所述的存储器件的制备方法，其特征在于，相邻列的所述柱状结构沿列方向错位的距离小于或等于第二距离；所述第二距离大于0.5倍的所述第一距离，且小于所述第一距离。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，相邻行的所述柱状结构沿行方向错位的距离小于或等于0.5倍的所述第一距离。

10.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成共源线；

在所述共源线上形成呈阵列状设置的多个柱状结构，其中，相邻行的所述柱状结构沿行方向错位，相邻列的所述柱状结构沿列方向错位；

在所述柱状结构的侧壁上形成栅介质层；

在所述共源线上形成被所述柱状结构和所述栅介质层贯穿的第一介质层；

在所述第一介质层上形成平行间隔设置的多条栅极字线，其中，沿第一方向排列的所述柱状结构及其外侧的所述栅介质层贯穿同一条所述栅极字线；

在所述第一介质层上形成覆盖所述栅极字线、且被所述柱状结构和所述栅介质层贯穿的第二介质层。

11.根据权利要求10所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述柱状结构的上方形成存储模块，所述存储模块与所述柱状结构对应连接。

12.根据权利要求11所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述存储模块的上方形成平行间隔设置的多条位线；所述位线沿第二方向延伸，并与所述存储模块对应连接；所述第二方向与所述第一方向相交。