[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111005927.0 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115732397A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 李琨琨;李志国;刘玉丽;隋振超 | 申请（专利权）人： | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H10B41/35;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互独立的字线栅，所述字线栅顶面具有缓冲层；形成第一保护层和牺牲层，所述第一保护层位于衬底表面、以及字线栅和缓冲层的侧壁面，所述牺牲层位于字线栅和缓冲层侧壁面的第一保护层上；形成第一介质层；回刻蚀第一介质层，直至暴露出所述缓冲层和牺牲层的顶面；回刻蚀第一介质层后，去除牺牲层和缓冲层，在相邻字线栅之间形成凹槽；在形成所述凹槽之后，刻蚀字线栅侧壁的第一保护层，形成第二保护层；在字线栅和第一介质层表面形成第二介质层，以在相邻字线栅之间形成空气侧墙。所述形成方法能够提高所形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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