[发明专利]多层衬底上的半导体晶体管在审
| 申请号： | 202111005028.0 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN114388609A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 文凤雄 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多层衬底上的半导体晶体管。提供了一种半导体器件，其包括多层衬底、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅极结构。该多层衬底具有位于隔离层之上的器件层，并且器件层包括具有第一衬底厚度的第一区域和具有小于第一衬底厚度的第二衬底厚度的第二区域。第一掺杂区位于第一区域中并且第二掺杂区位于第二区域中。栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 衬底 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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