[发明专利]一种氮化镓器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110996352.7 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113936993A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 汪琼;黄永;程晨言;陈兴;王东;吴勇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 | 代理人： | 于秀 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓器件的制备方法，包括如下步骤：采用化学气相沉积法在衬底上生长氮化铝界面层；其中，化学气相沉积反应室中的铝源和氨气均为脉冲方式通入，且在每一个通入氨气的时间段中，铝源均存在通入和关闭两种状态，在每一个关闭氨气的时间段中，铝源均处于通入状态；在氮化铝界面层上依次生长高阻层、沟道层和势垒层；高阻层为氮化镓层或者铝镓氮层。通过该发明中的方法，能够提高制备得到的氮化铝界面层也即氮化镓器件的质量，且制备效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
