[发明专利]一种氮化镓器件的制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用化学气相沉积法在衬底(L1)上生长氮化铝界面层(L21)；其中，化学气相沉积反应室中的铝源和氨气均为脉冲方式通入，且在每一个通入氨气的时间段中，铝源均存在通入和关闭两种状态，在每一个关闭氨气的时间段中，铝源均处于通入状态；

在所述氮化铝界面层(L21)上依次生长高阻层(L3)、沟道层(L4)和势垒层(L5)；所述高阻层(L3)为氮化镓层或者铝镓氮层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积反应室中的铝源在通入第一时间段后关闭，氨气在经过所述第一时间段开启后，铝源和氨气以脉冲方式通入。

3.根据权利要求2所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，铝源对应的一个脉冲内铝源的通入时间长度是铝源的关闭时间长度的两倍。

4.根据权利要求1-3任一项所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，铝源对应的一个脉冲内铝源通入的时间长度和氨气对应的一个脉冲内氨气通入的时间长度相同。

5.根据权利要求4所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，铝源对应的一个脉冲内铝源关闭的时间长度与所述第一时间段的时间长度相同。

6.根据权利要求1-5任一项所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，所述氮化铝界面层(L21)上还生长有氮化铝/铝镓氮超晶格结构层(L22)。

7.根据权利要求6所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，所述氮化铝/铝镓氮超晶格结构层(L22)的生长温度为1050-1250℃，生长压力为50-200torr。

8.根据权利要求6或7所述的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，所述衬底(L1)为Si衬底，或者由Si基础衬底制备成的SiC-on-Si复合衬底，或者由SOI基础衬底制备成的SiC-on-SOI复合衬底。