[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法在审
申请号: | 202110994856.5 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN114121985A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | A·查杜鲁;I·V·恰雷 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11548 | 分类号: | H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/1157 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种形成集成组件的方法。在导电结构上方形成横向交替的第一牺牲材料和第二牺牲材料,且接着在所述牺牲材料上方形成竖直交替的第一层级和第二层级的堆叠。所述第一层级包含第一材料且所述第二层级包含绝缘第二材料。使沟道材料开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过条带中的至少一些。在所述沟道材料开口内形成沟道材料柱。使狭缝形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述牺牲材料。用第一导电材料替换所述第一牺牲材料,且接着用第二导电材料替换所述第二牺牲材料。用第三导电材料替换所述堆叠的所述第一材料中的至少一些。一些实施例包含集成组件。 | ||
搜索关键词: | 集成 组件 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的