[发明专利]闪存阵列在审
| 申请号： | 202110989487.0 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113689893A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋家勇;石振东 | 申请（专利权）人： | 北京磐芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人： | 李建航 |
| 地址： | 100086 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种闪存阵列。根据本公开的闪存阵列包括：多个闪存单元，沿行方向和与行方向垂直的列方向排列；多个字线组，沿行方向延伸；以及多个位线组，沿列方向延伸，其中，在字线组和位线组的交点处设置有闪存单元对，所述闪存单元对包括在行方向上相邻的共享同一个位线组的第一闪存单元和第二闪存单元。根据本公开的闪存阵列可以在不增大阵列尺寸的情况下提高位线的布置密度并且可以降低位线寄生电阻。此外，较之现有技术的闪存阵列，根据本公开的闪存阵列还具有更好的工艺兼容性和微缩特性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 阵列 | ||
【主权项】：
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