[发明专利]闪存阵列

权利要求书

1.一种闪存阵列，包括：

多个闪存单元，沿行方向和与所述行方向垂直的列方向排列；

多个字线组，沿所述行方向延伸；以及

多个位线组，沿所述列方向延伸，

其中，在所述字线组和所述位线组的交点处设置有闪存单元对，所述闪存单元对包括在所述行方向上相邻的共享同一个位线组的第一闪存单元和第二闪存单元。

2.根据权利要求1所述的闪存阵列，

其中，所述第一闪存单元和所述第二闪存单元中的每个包括在所述列方向上依次串联连接的第一存储晶体管、选通晶体管和第二存储晶体管，以及

其中，在所述第一闪存单元和所述第二闪存单元中的每个中，所述第一存储晶体管的源极区连接到该闪存单元的第一电极，所述第二存储晶体管的漏极区连接到该闪存单元的第二电极。

3.根据权利要求2所述的闪存阵列，

其中，每个位线组包括第一位线、中间位线和第二位线，所述第一位线连接到所述闪存单元对的第一闪存单元的第一电极，所述第二位线连接到所述闪存单元对的第二闪存单元的第二电极，所述中间位线连接所述第一闪存单元的第二电极和所述第二闪存单元的第一电极。

4.根据权利要求2所述的闪存阵列，

其中，每个位线组包括第一位线、中间位线和第二位线，所述第一位线连接到所述闪存单元对的第一闪存单元的第二电极，所述第二位线连接到所述闪存单元对的第二闪存单元的第二电极，所述中间位线连接所述第一闪存单元的第一电极和所述第二闪存单元的第一电极。

5.根据权利要求3或4所述的闪存阵列，其中，

其中，每个字线组包括沿所述行方向延伸的第一控制线、字线和第二控制线，所述第一控制线连接到所述第一存储晶体管的栅电极，所述字线连接到所述选通晶体管的栅电极，所述第二控制线连接到所述第二存储晶体管的栅电极。

6.根据权利要求5所述的闪存阵列，其中，

在所述列方向上相邻的两个第一控制线通过第一公共控制线连接在一起，以及

其中，在所述列方向上相邻的两个第二控制线通过第二公共控制线连接在一起。

7.根据权利要求5所述的闪存阵列，其中，

所述第一控制线、所述字线和所述第二控制线由多晶硅、硅化物、金属栅中的至少一种形成。

8.根据权利要求6所述的闪存阵列，其中，

所述第一公共控制线和所述第二公共控制线由金属层形成。

9.根据权利要求3或4所述的闪存阵列，其中，

所述中间位线由第一金属层形成，以及

所述第一位线和所述第二位线由不同于所述第一金属层的第二金属层形成。

10.根据权利要求9所述的闪存阵列，其中，

所述中间位线包括在所述列方向上延伸的第一部分和在所述行方向上延伸的第二部分，以及

所述第一位线和所述第二位线在所述列方向上延伸。