[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法在审
| 申请号： | 202110988880.8 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN114250075A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 金东铉;朴贤宇;洪性俊;李明镐;宋明根;金薰植;高在中;李鸣仪;黄俊赫 | 申请（专利权）人： | 易安爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅膜蚀刻组合物、使用该组合物蚀刻氮化硅膜的方法以及半导体器件的制造方法。具体地说，根据本发明，相对于氧化硅膜氮化硅膜可以以高选择比率稳定地被蚀刻，并且当该组合物应用于在高温下的蚀刻工艺和半导体制造工艺时，不仅不会产生析出物，而且不会发生氧化硅膜的厚度反而增加的异常生长，从而能够最小化缺陷和可靠性的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 蚀刻 组合 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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