[发明专利]闪存单元及其制造方法

摘要

本公开提供了一种闪存单元及其制造方法。根据本公开的闪存单元包括：衬底，包括深阱区和设置在深阱区上的阱区；第一存储晶体管和第二存储晶体管，设置在阱区上并且分别存储第一数据和第二数据；以及选通晶体管，在阱区上沿水平方向设置在第一和第二存储晶体管之间，被配置为隔离第一和第二存储晶体管并且对第一和第二存储晶体管执行选通操作；其中，第一存储晶体管、选通晶体管和第二存储晶体管依次串联连接，第一存储晶体管的源极区连接到闪存单元的第一电极，第二存储晶体管的漏极区连接到闪存单元的第二电极，第一和第二存储晶体管具有包括沿竖直方向依次设置的沟道区、栅介质叠层、栅电极和硬掩模阻挡部的栅结构。