[发明专利]基于超晶格结构的增强型GaN HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110985584.2 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113823673A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李国强;孙佩椰;刑志恒;吴能滔;李善杰;姚书南 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超晶格结构的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底、GaN沟道层、GaN/AlN超晶格结构层、p型GaN/AlN掺杂层、MgO栅绝缘层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极；本发明利用超晶格结构的微带效应及固体热扩散法，增强势垒层中的p型掺杂效率，简单高效地实现了高性能的增强型GaN HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶格 结构 增强 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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